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    SIHG30N60E-E3

    MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC

    制造商:
    Vishay / Siliconix
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 SIHG30N60E-E3 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-247AC-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 250 W
    Vgs - 栅极-源极电压 30 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 600 V
    Id-连续漏极电流 29 A
    Rds On-漏源导通电阻 125 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 4 V
    Qg-栅极电荷 85 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:53,603

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥39.5925
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥39.5925 ¥39.5925
    10+ ¥33.2729 ¥332.7290
    100+ ¥28.0726 ¥2,807.2600
    250+ ¥26.3362 ¥6,584.0500
    500+ ¥24.7850 ¥12,392.5000
    1,000+ ¥21.8763 ¥21,876.3000
    2,500+ ¥18.7738 ¥46,934.5000

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