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| 数据手册 | IXFQ50N60P3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装 / 箱体 | TO-3P-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1040 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 145 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 94 nC |
库存：59,357
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥41.2671
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥41.2671 | ￥41.2671 |
| 10+ | ￥37.3008 | ￥373.0080 |
| 50+ | ￥35.8113 | ￥1,790.5650 |
| 100+ | ￥29.4916 | ￥2,949.1600 |
| 500+ | ￥26.0277 | ￥13,013.8500 |
| 1,000+ | ￥23.4188 | ￥23,418.8000 |
| 2,500+ | ￥22.5550 | ￥56,387.5000 |
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