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| 数据手册 | IXFK170N20T 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-264-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1.15 kW |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Id-连续漏极电流 | 170 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 265 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,842
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥68.4055
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥68.4055 | ￥68.4055 |
| 10+ | ￥61.7773 | ￥617.7730 |
| 25+ | ￥60.9753 | ￥1,524.3825 |
| 50+ | ￥58.9304 | ￥2,946.5200 |
| 100+ | ￥48.8296 | ￥4,882.9600 |
| 500+ | ￥43.1269 | ￥21,563.4500 |
| 1,000+ | ￥38.7904 | ￥38,790.4000 |
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