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| 数据手册 | IXFK360N10T 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-264-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1.25 kW |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 360 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.9 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 525 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：51,039
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥75.7211
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥75.7211 | ￥75.7211 |
| 10+ | ￥68.4055 | ￥684.0550 |
| 25+ | ￥57.0707 | ￥1,426.7675 |
| 50+ | ￥53.0427 | ￥2,652.1350 |
| 100+ | ￥45.0484 | ￥4,504.8400 |
| 500+ | ￥39.7776 | ￥19,888.8000 |
| 1,000+ | ￥35.7496 | ￥35,749.6000 |
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