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| 数据手册 | APT20M38BVRG 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 370 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Id-连续漏极电流 | 67 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 38 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
| Qg-栅极电荷 | 225 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存:53,041
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥85.7602
| 数量 | 单价(含税) | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ¥85.7602 | ¥85.7602 |
| 10+ | ¥77.9510 | ¥779.5100 |
| 25+ | ¥72.0633 | ¥1,801.5825 |
| 50+ | ¥68.1587 | ¥3,407.9350 |
| 100+ | ¥65.7436 | ¥6,574.3600 |
| 250+ | ¥60.0410 | ¥15,010.2500 |
| 500+ | ¥56.1981 | ¥28,099.0500 |
| 1,000+ | ¥50.1252 | ¥50,125.2000 |
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