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| 数据手册 | IXFN220N20X3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 155 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 390 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Id-连续漏极电流 | 220 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 6.2 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 204 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,097
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥155.7698
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥155.7698 | ￥155.7698 |
| 5+ | ￥151.5567 | ￥757.7835 |
| 10+ | ￥144.0648 | ￥1,440.6480 |
| 25+ | ￥131.8574 | ￥3,296.4350 |
| 50+ | ￥128.6315 | ￥6,431.5750 |
| 100+ | ￥123.1228 | ￥12,312.2800 |
| 200+ | ￥117.4818 | ￥23,496.3600 |
| 500+ | ￥107.4427 | ￥53,721.3500 |
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