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| 数据手册 | IXTQ60N20L2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3P-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 540 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 45 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：59,783
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥76.7699
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥76.7699 | ￥76.7699 |
| 10+ | ￥70.5120 | ￥705.1200 |
| 100+ | ￥58.4897 | ￥5,848.9700 |
| 500+ | ￥52.9810 | ￥26,490.5000 |
| 1,000+ | ￥48.5828 | ￥48,582.8000 |
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