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数据手册 | IXFX120N30P3 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-247-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | HiPerFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 1.13 kW |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
Id-连续漏极电流 | 120 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 27 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
Qg-栅极电荷 | 150 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:58,128
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥87.1176
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥87.1176 | ¥87.1176 |
10+ | ¥79.4935 | ¥794.9350 |
25+ | ¥73.4911 | ¥1,837.2775 |
50+ | ¥67.6034 | ¥3,380.1700 |
100+ | ¥65.9904 | ¥6,599.0400 |
250+ | ¥55.2726 | ¥13,818.1500 |
500+ | ¥50.1252 | ¥25,062.6000 |
1,000+ | ¥45.9738 | ¥45,973.8000 |
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