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| 数据手册 | APT37M100L 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-264-3 |
| 技术 | SI |
| 商标名 | Power MOS 8 |
| Pd-功率耗散 | 1.135 kW |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 37 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 290 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 305 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,087
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥128.4464
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥128.4464 | ￥128.4464 |
| 5+ | ￥122.6821 | ￥613.4105 |
| 10+ | ￥118.8480 | ￥1,188.4800 |
| 25+ | ￥109.2407 | ￥2,731.0175 |
| 50+ | ￥105.9531 | ￥5,297.6550 |
| 100+ | ￥100.9379 | ￥10,093.7900 |
| 250+ | ￥92.6968 | ￥23,174.2000 |
| 500+ | ￥85.3812 | ￥42,690.6000 |
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