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| 数据手册 | IXFN32N100Q3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 780 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 28 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 320 mOhms |
| Qg-栅极电荷 | 195 nC |
库存：56,501
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥281.9951
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥281.9951 | ￥281.9951 |
| 5+ | ￥272.0794 | ￥1,360.3970 |
| 10+ | ￥263.7149 | ￥2,637.1490 |
| 25+ | ￥243.8834 | ￥6,097.0850 |
| 50+ | ￥236.6383 | ￥11,831.9150 |
| 100+ | ￥228.6440 | ￥22,864.4000 |
| 200+ | ￥213.3958 | ￥42,679.1600 |
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