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| 数据手册 | IXTY4N65X2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-252-3 |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 80 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 4 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 850 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
| Qg-栅极电荷 | 8.3 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,601
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥13.1329
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥13.1329 | ￥13.1329 |
| 10+ | ￥11.7755 | ￥117.7550 |
| 25+ | ￥10.4093 | ￥260.2325 |
| 50+ | ￥9.4839 | ￥474.1950 |
| 100+ | ￥7.2539 | ￥725.3900 |
| 500+ | ￥6.1345 | ￥3,067.2500 |
| 1,000+ | ￥5.2091 | ￥5,209.1000 |
| 2,500+ | ￥5.1297 | ￥12,824.2500 |
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