文档与媒体
| 数据手册 | IPP80N03S4L03AKSA1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 136 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 16 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.3 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1 V |
| Qg-栅极电荷 | 140 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,091
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥10.0391
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥10.0391 | ￥10.0391 |
| 10+ | ￥8.5496 | ￥85.4960 |
| 100+ | ￥6.4430 | ￥644.3000 |
| 500+ | ￥5.6410 | ￥2,820.5000 |
| 1,000+ | ￥4.7860 | ￥4,786.0000 |
| 2,500+ | ￥4.3717 | ￥10,929.2500 |
| 10,000+ | ￥4.2748 | ￥42,748.0000 |
申请更低价? 请联系客服
