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数据手册 | TK35N65W5,S1F 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-247-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | DTMOSIV |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 270 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
Id-连续漏极电流 | 35 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 80 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
Qg-栅极电荷 | 115 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:59,961
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥51.2446
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥51.2446 | ¥51.2446 |
10+ | ¥46.0972 | ¥460.9720 |
25+ | ¥42.0075 | ¥1,050.1875 |
100+ | ¥37.9178 | ¥3,791.7800 |
250+ | ¥34.8241 | ¥8,706.0250 |
500+ | ¥31.7833 | ¥15,891.6500 |
1,000+ | ¥27.6936 | ¥27,693.6000 |
2,500+ | ¥26.6447 | ¥66,611.7500 |
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