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| 数据手册 | TK39J60W,S1VQ 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装 / 箱体 | TO-3PN-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | DTMOSIV |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 270 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 38.8 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 65 mOhms |
| Qg-栅极电荷 | 135 nC |
库存：55,131
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥57.5025
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥57.5025 | ￥57.5025 |
| 10+ | ￥51.9233 | ￥519.2330 |
| 25+ | ￥51.1212 | ￥1,278.0300 |
| 100+ | ￥41.0821 | ￥4,108.2100 |
| 500+ | ￥36.2520 | ￥18,126.0000 |
| 1,000+ | ￥32.5942 | ￥32,594.2000 |
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