文档与媒体
| 数据手册 | IXTH20N65X2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 290 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 185 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
库存：51,947
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥32.7793
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥32.7793 | ￥32.7793 |
| 10+ | ￥29.4299 | ￥294.2990 |
| 25+ | ￥23.9829 | ￥599.5725 |
| 250+ | ￥20.8187 | ￥5,204.6750 |
| 500+ | ￥19.8315 | ￥9,915.7500 |
| 1,000+ | ￥16.8524 | ￥16,852.4000 |
| 2,500+ | ￥14.6841 | ￥36,710.2500 |
申请更低价? 请联系客服
