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| 数据手册 | IXFA30N25X3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 170 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Id-连续漏极电流 | 30 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 21 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,594
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥33.3345
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥33.3345 | ￥33.3345 |
| 10+ | ￥29.7384 | ￥297.3840 |
| 25+ | ￥29.6767 | ￥741.9175 |
| 50+ | ￥26.7681 | ￥1,338.4050 |
| 100+ | ￥24.3531 | ￥2,435.3100 |
| 250+ | ￥23.7273 | ￥5,931.8250 |
| 500+ | ￥19.7081 | ￥9,854.0500 |
| 1,000+ | ￥19.3908 | ￥19,390.8000 |
| 2,500+ | ￥15.8035 | ￥39,508.7500 |
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