文档与媒体
| 数据手册 | IXTP2R4N120P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
| Id-连续漏极电流 | 2.4 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 7.5 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,137
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥35.8113
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥35.8113 | ￥35.8113 |
| 10+ | ￥32.0389 | ￥320.3890 |
| 25+ | ￥28.8130 | ￥720.3250 |
| 50+ | ￥25.0935 | ￥1,254.6750 |
| 250+ | ￥22.4316 | ￥5,607.9000 |
| 500+ | ￥21.2506 | ￥10,625.3000 |
| 1,000+ | ￥17.9100 | ￥17,910.0000 |
| 2,500+ | ￥15.3628 | ￥38,407.0000 |
申请更低价? 请联系客服
