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| 数据手册 | IXFQ22N60P3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装 / 箱体 | TO-3P-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 500 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 22 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 360 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 38 nC |
库存：51,169
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥39.0989
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥39.0989 | ￥39.0989 |
| 10+ | ￥35.2560 | ￥352.5600 |
| 25+ | ￥34.5773 | ￥864.4325 |
| 50+ | ￥33.8898 | ￥1,694.4900 |
| 100+ | ￥27.8875 | ￥2,788.7500 |
| 500+ | ￥24.5999 | ￥12,299.9500 |
| 1,000+ | ￥22.1231 | ￥22,123.1000 |
| 2,500+ | ￥21.3123 | ￥53,280.7500 |
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