| 产品属性 |
属性值 |
| 产品目录 |
MOSFET |
| 安装风格 |
Through Hole |
| 最小工作温度 |
- 55 C |
| 最大工作温度 |
+ 150 C |
| 封装 / 箱体 |
TO-39-3 |
| 通道数量 |
1 Channel |
| 技术 |
SI |
| 配置 |
Single |
| Pd-功率耗散 |
25 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 |
20 V |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
100 V |
| Id-连续漏极电流 |
8 A |
| Rds On-漏源导通电阻 |
180 mOhms |
| 通道模式 |
Enhancement |
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥183.2871
| 数量 |
单价（含税） |
总计 |
|
1+
|
￥183.2871 |
￥183.2871 |
|
5+
|
￥181.3657 |
￥906.8285 |
|
10+
|
￥169.0349 |
￥1,690.3490 |
|
25+
|
￥161.5342 |
￥4,038.3550 |
|
50+
|
￥161.4108 |
￥8,070.5400 |
|
100+
|
￥144.3733 |
￥14,437.3300 |
|
250+
|
￥137.6835 |
￥34,420.8750 |
|
500+
|
￥131.0466 |
￥65,523.3000 |
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