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| 数据手册 | 2N6796 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-39-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 25 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,239
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥183.2871
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥183.2871 | ￥183.2871 |
| 5+ | ￥181.3657 | ￥906.8285 |
| 10+ | ￥169.0349 | ￥1,690.3490 |
| 25+ | ￥161.5342 | ￥4,038.3550 |
| 50+ | ￥161.4108 | ￥8,070.5400 |
| 100+ | ￥144.3733 | ￥14,437.3300 |
| 250+ | ￥137.6835 | ￥34,420.8750 |
| 500+ | ￥131.0466 | ￥65,523.3000 |
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