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| 数据手册 | IXTA90N075T2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 180 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Id-连续漏极电流 | 90 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 10 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：51,924
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥17.2226
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥17.2226 | ￥17.2226 |
| 10+ | ￥15.6184 | ￥156.1840 |
| 25+ | ￥13.8204 | ￥345.5100 |
| 50+ | ￥13.1329 | ￥656.6450 |
| 100+ | ￥9.9774 | ￥997.7400 |
| 500+ | ￥8.4262 | ￥4,213.1000 |
| 1,000+ | ￥7.1834 | ￥7,183.4000 |
| 2,500+ | ￥7.0600 | ￥17,650.0000 |
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