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    TSM680P06DPQ56 RLG

    MOSFET -60V, -12A, Dual P- Channel Power MOSFET

    制造商:
    Taiwan Semiconductor
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 TSM680P06DPQ56 RLG 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 PDFN56-8
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 3.5 W
    Vgs - 栅极-源极电压 10 V
    晶体管极性 P-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 60 V
    Id-连续漏极电流 12 A
    Rds On-漏源导通电阻 54 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 1.2 V
    Qg-栅极电荷 16.4 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:59,866

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥6.9366
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥6.9366 ¥6.9366
    10+ ¥6.1874 ¥61.8740
    100+ ¥4.4070 ¥440.7000
    500+ ¥3.7371 ¥1,868.5500
    2,500+ ¥2.9086 ¥7,271.5000
    5,000+ ¥2.6530 ¥13,265.0000
    10,000+ ¥2.5296 ¥25,296.0000
    25,000+ ¥2.4503 ¥61,257.5000

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