文档与媒体
| 数据手册 | IPW60R041C6 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | CoolMOS |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 481 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 77.5 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 37 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 290 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,593
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥79.1850
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥79.1850 | ￥79.1850 |
| 10+ | ￥72.7419 | ￥727.4190 |
| 100+ | ￥60.5963 | ￥6,059.6300 |
| 250+ | ￥58.4280 | ￥14,607.0000 |
| 500+ | ￥55.5194 | ￥27,759.7000 |
| 1,000+ | ￥53.8447 | ￥53,844.7000 |
申请更低价? 请联系客服QQ 154861934
