| 产品属性 |
属性值 |
| 产品目录 |
MOSFET |
| 安装风格 |
Through Hole |
| 封装 |
Tube |
| 最小工作温度 |
- 55 C |
| 最大工作温度 |
+ 175 C |
| 封装 / 箱体 |
TO-220-3 |
| 技术 |
SI |
| 商标名 |
StrongIRFET |
| 配置 |
Single |
| Pd-功率耗散 |
75 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 |
20 V |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
60 V |
| Id-连续漏极电流 |
86 A |
| Rds On-漏源导通电阻 |
2.7 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 |
4 V |
| Qg-栅极电荷 |
130 nC |
| 通道模式 |
Enhancement |
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥19.8932
| 数量 |
单价（含税） |
总计 |
|
1+
|
￥19.8932 |
￥19.8932 |
|
10+
|
￥16.9141 |
￥169.1410 |
|
100+
|
￥13.5119 |
￥1,351.1900 |
|
500+
|
￥12.2691 |
￥6,134.5500 |
|
1,000+
|
￥10.4710 |
￥10,471.0000 |
|
2,000+
|
￥10.1008 |
￥20,201.6000 |
|
4,000+
|
￥9.8541 |
￥39,416.4000 |
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