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    IPL60R299CP

    MOSFET N-Ch 650V 11.1A ThinPAK-4 CoolMOS CP

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IPL60R299CP 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, Reel
    最小工作温度 - 40 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 VSON-4
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 CoolMOS
    配置 Single
    Pd-功率耗散 96 W
    Vgs - 栅极-源极电压 10 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 600 V
    Id-连续漏极电流 11.1 A
    Rds On-漏源导通电阻 299 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2.5 V
    通道模式 Enhancement

    库存:58,373

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥17.6633
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥17.6633 ¥17.6633
    10+ ¥14.9926 ¥149.9260
    100+ ¥11.7138 ¥1,171.3800
    500+ ¥9.9774 ¥4,988.7000
    3,000+ ¥8.1794 ¥24,538.2000
    9,000+ ¥7.9326 ¥71,393.4000

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