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    STB18NM60ND

    MOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A FDmesh II

    制造商:
    STMicroelectronics
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 STB18NM60ND 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-263-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 130 W
    Vgs - 栅极-源极电压 25 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 650 V
    Id-连续漏极电流 13 A
    Rds On-漏源导通电阻 290 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 4 V
    Qg-栅极电荷 34 nC

    库存:54,328

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥32.5942
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥32.5942 ¥32.5942
    10+ ¥27.6936 ¥276.9360
    100+ ¥22.1848 ¥2,218.4800
    250+ ¥20.9421 ¥5,235.5250
    1,000+ ¥17.0375 ¥17,037.5000
    2,000+ ¥16.5439 ¥33,087.8000

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