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    IPP60R099CPXKSA1

    MOSFET N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IPP60R099CPXKSA1 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-220-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 CoolMOS
    配置 Single
    Pd-功率耗散 255 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 600 V
    Id-连续漏极电流 31 A
    Rds On-漏源导通电阻 90 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2.5 V
    Qg-栅极电荷 80 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:51,620

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥43.5588
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥43.5588 ¥43.5588
    10+ ¥37.4859 ¥374.8590
    100+ ¥31.1046 ¥3,110.4600
    250+ ¥29.2449 ¥7,311.2250
    500+ ¥27.7553 ¥13,877.6500
    1,000+ ¥26.8915 ¥26,891.5000
    2,500+ ¥26.0894 ¥65,223.5000

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