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| 数据手册 | IPP60R099C6 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | CoolMOS |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 278 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 37.9 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 90 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 119 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：59,545
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥36.3137
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥36.3137 | ￥36.3137 |
| 10+ | ￥30.8578 | ￥308.5780 |
| 100+ | ￥24.6616 | ￥2,466.1600 |
| 500+ | ￥21.9380 | ￥10,969.0000 |
| 1,000+ | ￥20.3868 | ￥20,386.8000 |
| 2,500+ | ￥19.8315 | ￥49,578.7500 |
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