| 产品属性 |
属性值 |
| 产品目录 |
MOSFET |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
| 资格 |
AEC-Q101 |
| 封装 |
Tube |
| 最小工作温度 |
- 55 C |
| 最大工作温度 |
+ 175 C |
| 封装 / 箱体 |
TO-263-7 |
| 通道数量 |
1 Channel |
| 技术 |
SI |
| 配置 |
Single |
| Pd-功率耗散 |
375 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 |
16 V |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
40 V |
| Id-连续漏极电流 |
500 A |
| Rds On-漏源导通电阻 |
1.1 MOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 |
1 V |
| Qg-栅极电荷 |
177 nC |
| 通道模式 |
Enhancement |
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥31.4748
| 数量 |
单价（含税） |
总计 |
|
1+
|
￥31.4748 |
￥31.4748 |
|
10+
|
￥26.7064 |
￥267.0640 |
|
100+
|
￥20.2017 |
￥2,020.1700 |
|
500+
|
￥19.0206 |
￥9,510.3000 |
|
1,000+
|
￥16.2354 |
￥16,235.4000 |
|
2,000+
|
￥15.8035 |
￥31,607.0000 |
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