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    IRF5210STRRPBF

    MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nC

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IRF5210STRRPBF 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-252-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 3.8 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 P-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 100 V
    Id-连续漏极电流 40 A
    Rds On-漏源导通电阻 60 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 4 V
    Qg-栅极电荷 180 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:57,481

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥13.0712
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥13.0712 ¥13.0712
    10+ ¥11.0880 ¥110.8800
    100+ ¥8.6730 ¥867.3000
    500+ ¥7.3156 ¥3,657.8000
    800+ ¥6.1962 ¥4,956.9600
    2,400+ ¥6.0464 ¥14,511.3600
    9,600+ ¥5.8613 ¥56,268.4800

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