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| 数据手册 | IXFB80N50Q2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PLUS-264-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HyperFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 960 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,046
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥176.4034
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥176.4034 | ￥176.4034 |
| 5+ | ￥174.8609 | ￥874.3045 |
| 10+ | ￥162.6536 | ￥1,626.5360 |
| 25+ | ￥158.6256 | ￥3,965.6400 |
| 50+ | ￥154.9061 | ￥7,745.3050 |
| 100+ | ￥137.0577 | ￥13,705.7700 |
| 250+ | ￥134.5193 | ￥33,629.8250 |
| 500+ | ￥116.9882 | ￥58,494.1000 |
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