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    IRFHM8363TRPBF

    MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 14.9mOhms 15nC

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IRFHM8363TRPBF 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 PQFN-8
    通道数量 2 Channel
    技术 SI
    配置 Dual
    Pd-功率耗散 2.7 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 30 V
    Id-连续漏极电流 11 A
    Rds On-漏源导通电阻 16.3 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 1.8 V
    Qg-栅极电荷 15 nC

    库存:52,080

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥5.1386
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥5.1386 ¥5.1386
    10+ ¥4.3277 ¥43.2770
    100+ ¥3.2171 ¥321.7100
    500+ ¥2.7588 ¥1,379.4000
    4,000+ ¥2.1418 ¥8,567.2000
    8,000+ ¥2.0537 ¥16,429.6000
    24,000+ ¥1.9920 ¥47,808.0000

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