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| 数据手册 | IXFP5N50P3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| Pd-功率耗散 | 114 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1.65 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 6.9 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,524
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥14.9309
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥14.9309 | ￥14.9309 |
| 10+ | ￥13.5119 | ￥135.1190 |
| 25+ | ￥12.0840 | ￥302.1000 |
| 50+ | ￥10.5327 | ￥526.6350 |
| 250+ | ￥8.7964 | ￥2,199.1000 |
| 500+ | ￥8.4262 | ￥4,213.1000 |
| 1,000+ | ￥6.9983 | ￥6,998.3000 |
| 2,500+ | ￥5.8966 | ￥14,741.5000 |
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