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| 数据手册 | IRFB31N20DPBF 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 200 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Id-连续漏极电流 | 31 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 82 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 70 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,751
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥12.8244
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥12.8244 | ￥12.8244 |
| 10+ | ￥10.8412 | ￥108.4120 |
| 100+ | ￥8.4879 | ￥848.7900 |
| 500+ | ￥7.1834 | ￥3,591.7000 |
| 1,000+ | ￥6.0993 | ￥6,099.3000 |
| 2,000+ | ￥6.0200 | ￥12,040.0000 |
| 10,000+ | ￥5.7908 | ￥57,908.0000 |
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