图像仅供参考 请参阅产品规格

    ALD212902PAL

    MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

    制造商:
    Advanced Linear Devices
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 ALD212902PAL 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 0 C
    最大工作温度 + 70 C
    封装 / 箱体 PDIP-8
    通道数量 2 Channel
    技术 SI
    商标名 EPAD
    配置 Dual
    Pd-功率耗散 500 mW
    Vgs - 栅极-源极电压 10.6 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 10 V
    Id-连续漏极电流 79 mA
    Rds On-漏源导通电阻 14 Ohms
    Vgs th-栅源极阈值电压 180 mV
    通道模式 Enhancement

    库存:53,601

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥32.5325
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥32.5325 ¥32.5325
    10+ ¥29.1215 ¥291.2150
    25+ ¥28.0109 ¥700.2725
    50+ ¥24.3531 ¥1,217.6550
    100+ ¥23.8595 ¥2,385.9500
    250+ ¥21.5590 ¥5,389.7500
    500+ ¥19.3291 ¥9,664.5500
    1,000+ ¥16.2971 ¥16,297.1000
    2,500+ ¥15.5567 ¥38,891.7500

    申请更低价? 请联系客服

    新品资讯