| 产品属性 |
属性值 |
| 产品目录 |
MOSFET |
| 安装风格 |
Through Hole |
| 最小工作温度 |
- 55 C |
| 最大工作温度 |
+ 150 C |
| 封装 / 箱体 |
TO-251-3 |
| 通道数量 |
1 Channel |
| 技术 |
SI |
| 商标名 |
MDmesh |
| 配置 |
Single |
| Pd-功率耗散 |
110 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 |
30 V |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
900 V |
| Id-连续漏极电流 |
6 A |
| Rds On-漏源导通电阻 |
910 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 |
3 V |
| Qg-栅极电荷 |
11 nC |
| 通道模式 |
Enhancement |
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥10.0391
| 数量 |
单价（含税） |
总计 |
|
1+
|
￥10.0391 |
￥10.0391 |
|
10+
|
￥8.4879 |
￥84.8790 |
|
100+
|
￥6.6281 |
￥662.8100 |
|
250+
|
￥6.4430 |
￥1,610.7500 |
|
500+
|
￥5.6233 |
￥2,811.6500 |
|
1,000+
|
￥4.7684 |
￥4,768.4000 |
|
3,000+
|
￥4.6979 |
￥14,093.7000 |
|
6,000+
|
￥4.3541 |
￥26,124.6000 |
|
9,000+
|
￥4.2572 |
￥38,314.8000 |
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