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数据手册 | APT66F60L 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-264-3 |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 1.135 kW |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Id-连续漏极电流 | 70 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 90 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
Qg-栅极电荷 | 330 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:59,507
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥125.1059
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥125.1059 | ¥125.1059 |
5+ | ¥119.5267 | ¥597.6335 |
10+ | ¥115.7454 | ¥1,157.4540 |
25+ | ¥106.3938 | ¥2,659.8450 |
50+ | ¥103.1679 | ¥5,158.3950 |
100+ | ¥98.2761 | ¥9,827.6100 |
250+ | ¥90.2818 | ¥22,570.4500 |
500+ | ¥83.1513 | ¥41,575.6500 |
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