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| 数据手册 | SQD40030E_GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | TrenchFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 375 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 0.0032 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 110 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,149
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥9.8541
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥9.8541 | ￥9.8541 |
| 10+ | ￥8.7964 | ￥87.9640 |
| 100+ | ￥6.8132 | ￥681.3200 |
| 500+ | ￥5.6674 | ￥2,833.7000 |
| 1,000+ | ￥4.4775 | ￥4,477.5000 |
| 2,000+ | ￥4.0544 | ￥8,108.8000 |
| 4,000+ | ￥3.8517 | ￥15,406.8000 |
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