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| 数据手册 | IXFH20N60 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HyperFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 350 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,075
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥80.9830
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥80.9830 | ￥80.9830 |
| 10+ | ￥72.9270 | ￥729.2700 |
| 25+ | ￥60.6579 | ￥1,516.4475 |
| 50+ | ￥56.3832 | ￥2,819.1600 |
| 100+ | ￥55.0875 | ￥5,508.7500 |
| 250+ | ￥50.3103 | ￥12,577.5750 |
| 500+ | ￥45.8504 | ￥22,925.2000 |
| 1,000+ | ￥43.7439 | ￥43,743.9000 |
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