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| 数据手册 | STD18N60M6 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | DPAK-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 25 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 13 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 280 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.25 V |
| Qg-栅极电荷 | 16.8 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,091
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥11.7138
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥11.7138 | ￥11.7138 |
| 10+ | ￥9.9158 | ￥99.1580 |
| 100+ | ￥7.7475 | ￥774.7500 |
| 250+ | ￥7.5624 | ￥1,890.6000 |
| 500+ | ￥6.5664 | ￥3,283.2000 |
| 1,000+ | ￥5.5528 | ￥5,552.8000 |
| 2,500+ | ￥5.4735 | ￥13,683.7500 |
| 5,000+ | ￥5.0769 | ￥25,384.5000 |
| 10,000+ | ￥4.8830 | ￥48,830.0000 |
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