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TSM061NA03CV RGG

MOSFET Power MOSFET, N-CHL, 30V, 66A, 6.1mOhm

制造商:
Taiwan Semiconductor
产品类别
MOSFET
无铅情况/RoHS:
无铅/符合RoHS
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 TSM061NA03CV RGG 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
最小工作温度 - 55 C
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 PDFN33-8
通道数量 1 Channel
技术 SI
配置 Single
Pd-功率耗散 44.6 W
Vgs - 栅极-源极电压 10 V
晶体管极性 N-Channel
Vds-漏源极击穿电压 30 V
Id-连续漏极电流 66 A
Rds On-漏源导通电阻 4.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压 1.2 V
Qg-栅极电荷 19.3 nC
通道模式 Enhancement

库存:59,682

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥8.4262
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥8.4262 ¥8.4262
10+ ¥7.5007 ¥75.0070
100+ ¥6.7515 ¥675.1500
500+ ¥6.2579 ¥3,128.9500
5,000+ ¥4.6626 ¥23,313.0000
10,000+ ¥2.7147 ¥27,147.0000

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