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TSM160N10CZ C0G

MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 100V, 160A, 5.5mOhm

制造商:
Taiwan Semiconductor
产品类别
MOSFET
无铅情况/RoHS:
无铅/符合RoHS
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 TSM160N10CZ C0G 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOSFET
安装风格 Through Hole
封装 Tube
最小工作温度 - 55 C
最大工作温度 + 175 C
封装 / 箱体 TO-220-3
通道数量 1 Channel
技术 SI
配置 Single
Pd-功率耗散 300 W
Vgs - 栅极-源极电压 10 V
晶体管极性 N-Channel
Vds-漏源极击穿电压 100 V
Id-连续漏极电流 160 A
Rds On-漏源导通电阻 4.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压 2 V
Qg-栅极电荷 154 nC
通道模式 Enhancement

库存:54,115

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥17.1609
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥17.1609 ¥17.1609
10+ ¥15.3628 ¥153.6280
100+ ¥11.2731 ¥1,127.3100
500+ ¥9.5456 ¥4,772.8000
1,000+ ¥8.1177 ¥8,117.7000
2,000+ ¥7.9943 ¥15,988.6000
5,000+ ¥7.4390 ¥37,195.0000

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