| 产品属性 |
属性值 |
| 产品目录 |
MOSFET |
| 安装风格 |
Through Hole |
| 封装 |
Tube |
| 最小工作温度 |
- 55 C |
| 最大工作温度 |
+ 175 C |
| 封装 / 箱体 |
TO-262-3 |
| 通道数量 |
1 Channel |
| 技术 |
SI |
| 商标名 |
STripFET |
| 配置 |
Single |
| Pd-功率耗散 |
250 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 |
20 V |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
100 V |
| Id-连续漏极电流 |
110 A |
| Rds On-漏源导通电阻 |
4.2 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 |
4.5 V |
| Qg-栅极电荷 |
117 nC |
| 通道模式 |
Enhancement |
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥16.9758
| 数量 |
单价（含税） |
总计 |
|
1+
|
￥16.9758 |
￥16.9758 |
|
10+
|
￥14.4373 |
￥144.3730 |
|
100+
|
￥11.2114 |
￥1,121.1400 |
|
250+
|
￥10.9029 |
￥2,725.7250 |
|
500+
|
￥9.4839 |
￥4,741.9500 |
|
1,000+
|
￥8.0560 |
￥8,056.0000 |
|
2,000+
|
￥7.8092 |
￥15,618.4000 |
|
5,000+
|
￥7.3773 |
￥36,886.5000 |
|
10,000+
|
￥7.1217 |
￥71,217.0000 |
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