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    IAUS200N08S5N023ATMA1

    MOSFET MOSFET_(75V 120V(

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IAUS200N08S5N023ATMA1 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 HSOG-8
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 OptiMOS
    配置 Single
    Pd-功率耗散 200 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 80 V
    Id-连续漏极电流 200 A
    Rds On-漏源导通电阻 3.7 MOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2.2 V
    Qg-栅极电荷 110 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:58,260

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥27.0766
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥27.0766 ¥27.0766
    10+ ¥22.9869 ¥229.8690
    100+ ¥17.3460 ¥1,734.6000
    500+ ¥16.3588 ¥8,179.4000
    1,800+ ¥13.5736 ¥24,432.4800
    3,600+ ¥12.5776 ¥45,279.3600

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