文档与媒体
数据手册 | IAUS200N08S5N023ATMA1 点击下载 |
---|
产品规格
产品属性 | 属性值 |
---|---|
产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Cut Tape, Reel |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
封装 / 箱体 | HSOG-8 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | OptiMOS |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 200 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
Id-连续漏极电流 | 200 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 3.7 MOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.2 V |
Qg-栅极电荷 | 110 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:58,260
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥27.0766
数量 | 单价(含税) | 总计 |
---|---|---|
1+ | ¥27.0766 | ¥27.0766 |
10+ | ¥22.9869 | ¥229.8690 |
100+ | ¥17.3460 | ¥1,734.6000 |
500+ | ¥16.3588 | ¥8,179.4000 |
1,800+ | ¥13.5736 | ¥24,432.4800 |
3,600+ | ¥12.5776 | ¥45,279.3600 |
申请更低价? 请联系客服