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    STI4N62K3

    MOSFET N-channel 620 V 17 Pwr MOSFET

    制造商:
    STMicroelectronics
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 STI4N62K3 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-262-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 SuperMESH
    配置 Single
    Pd-功率耗散 70 W
    Vgs - 栅极-源极电压 30 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 620 V
    Id-连续漏极电流 3.8 A
    Rds On-漏源导通电阻 2 Ohms
    Vgs th-栅源极阈值电压 3.75 V
    Qg-栅极电荷 22 nC

    库存:54,496

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥5.7644
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥5.7644 ¥5.7644
    10+ ¥4.8741 ¥48.7410
    100+ ¥3.7019 ¥370.1900
    250+ ¥3.6226 ¥905.6500
    500+ ¥3.0585 ¥1,529.2500
    1,000+ ¥2.5561 ¥2,556.1000
    2,000+ ¥2.4855 ¥4,971.0000
    5,000+ ¥2.2652 ¥11,326.0000
    10,000+ ¥2.1594 ¥21,594.0000

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