| 产品属性 |
属性值 |
| 产品目录 |
MOSFET |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
| 资格 |
AEC-Q101 |
| 封装 |
Tube |
| 最小工作温度 |
- 55 C |
| 最大工作温度 |
+ 175 C |
| 封装 / 箱体 |
TO-263-7 |
| 通道数量 |
1 Channel |
| 技术 |
SI |
| 配置 |
Single |
| Pd-功率耗散 |
230 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 |
20 V |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
55 V |
| Id-连续漏极电流 |
150 A |
| Rds On-漏源导通电阻 |
3.7 MOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 |
2 V |
| Qg-栅极电荷 |
230 nC |
| 通道模式 |
Enhancement |
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥19.8932
| 数量 |
单价（含税） |
总计 |
|
1+
|
￥19.8932 |
￥19.8932 |
|
10+
|
￥16.9141 |
￥169.1410 |
|
100+
|
￥13.5119 |
￥1,351.1900 |
|
500+
|
￥12.0223 |
￥6,011.1500 |
|
1,000+
|
￥10.5944 |
￥10,594.4000 |
|
2,500+
|
￥10.2859 |
￥25,714.7500 |
|
5,000+
|
￥9.9774 |
￥49,887.0000 |
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