文档与媒体
| 数据手册 | FCH190N65F-F085 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | SuperFET II |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 208 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 20.6 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 401 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
| Qg-栅极电荷 | 63 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,298
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥38.9138
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥38.9138 | ￥38.9138 |
| 10+ | ￥33.0878 | ￥330.8780 |
| 100+ | ￥26.4596 | ￥2,645.9600 |
| 250+ | ￥24.9701 | ￥6,242.5250 |
| 500+ | ￥23.4805 | ￥11,740.2500 |
| 1,000+ | ￥20.5719 | ￥20,571.9000 |
| 2,500+ | ￥19.8315 | ￥49,578.7500 |
申请更低价? 请联系客服QQ 154861934
