IXFN32N120P
MOSFET 32 Amps 1200V
- 制造商：
-
IXYS
- 产品类别
-
MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
-
无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
| 产品属性 |
属性值 |
| 产品目录 |
MOSFET |
| 安装风格 |
Chassis Mount |
| 封装 |
Tube |
| 最小工作温度 |
- 55 C |
| 最大工作温度 |
+ 150 C |
| 封装 / 箱体 |
SOT-227-4 |
| 通道数量 |
1 Channel |
| 技术 |
SI |
| 商标名 |
HiPerFET |
| 配置 |
Single |
| Pd-功率耗散 |
1 kW |
| Vgs - 栅极-源极电压 |
30 V |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
1.2 kV |
| Id-连续漏极电流 |
32 A |
| Rds On-漏源导通电阻 |
310 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 |
6.5 V |
| Qg-栅极电荷 |
360 nC |
| 通道模式 |
Enhancement |
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥331.8735
| 数量 |
单价（含税） |
总计 |
|
1+
|
￥331.8735 |
￥331.8735 |
|
5+
|
￥330.8776 |
￥1,654.3880 |
|
10+
|
￥320.7150 |
￥3,207.1500 |
|
25+
|
￥296.6175 |
￥7,415.4375 |
|
50+
|
￥287.8124 |
￥14,390.6200 |
|
100+
|
￥278.0288 |
￥27,802.8800 |
|
200+
|
￥258.4441 |
￥51,688.8200 |
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