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| 数据手册 | FDP075N15A-F102 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 技术 | SI |
| Pd-功率耗散 | 333 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Id-连续漏极电流 | 130 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 7.5 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 77 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,807
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥21.6207
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥21.6207 | ￥21.6207 |
| 10+ | ￥18.3419 | ￥183.4190 |
| 100+ | ￥14.6841 | ￥1,468.4100 |
| 250+ | ￥13.8821 | ￥3,470.5250 |
| 500+ | ￥13.0712 | ￥6,535.6000 |
| 1,000+ | ￥12.3925 | ￥12,392.5000 |
| 2,500+ | ￥12.0223 | ￥30,055.7500 |
| 5,000+ | ￥11.6521 | ￥58,260.5000 |
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