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| 数据手册 | IXTF1R4N450 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | ISOPLUS i4-Pak |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 190 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 4500 V |
| Id-连续漏极电流 | 1.4 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 40 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
库存：50,319
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥358.8885
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥358.8885 | ￥358.8885 |
| 10+ | ￥337.0738 | ￥3,370.7380 |
| 100+ | ￥293.5767 | ￥29,357.6700 |
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