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| 数据手册 | IXTN62N50L 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | Linear |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 800 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 62 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
| Qg-栅极电荷 | 550 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,830
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥331.9352
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥331.9352 | ￥331.9352 |
| 5+ | ￥322.8216 | ￥1,614.1080 |
| 10+ | ￥310.6759 | ￥3,106.7590 |
| 25+ | ￥288.5615 | ￥7,214.0375 |
| 50+ | ￥281.9334 | ￥14,096.6700 |
| 100+ | ￥269.2853 | ￥26,928.5300 |
| 200+ | ￥246.0516 | ￥49,210.3200 |
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